中芯国际申请一种半导体介质结构及其制备方法专利，提升制备效率
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2025-06-14 20:38:28
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金融界2025年6月14日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“一种半导体介质结构及其制备方法”的专利，公开号CN120149162A，申请日期为2023年12月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体介质结构及其制备方法，提供介质层中具有沟槽结构的衬底；通过绝缘材料在具有催化气体的气氛环境下等速沉积以及在不具有催化气体的气氛环境下差速沉积在沟槽结构内形成沿自沟槽结构槽口向槽底延伸的第一方向厚度逐渐变小的衬垫层；对衬垫层进行表面清洗，形成沿第一方向厚度逐渐增大的目标衬垫层；在具有目标衬垫层的沟槽结构内填充金属材料，形成导电结构。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可442个。
来源：金融界
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