华虹半导体申请分栅式闪存器件及其制备方法专利，降低控制栅操作电压_电子百科

华虹半导体申请分栅式闪存器件及其制备方法专利，降低控制栅操作电压

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2025-06-17 11:38:22

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金融界2025年6月17日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“分栅式闪存器件及其制备方法”的专利，公开号CN120166701A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请提供一种分栅式闪存器件及其制备方法，在制备方法中，将分立的浮栅结构设置为凹槽型，并且浮栅结构的侧壁呈U型，分立的两个浮栅结构的U型开口相对，抬高了浮栅结构与外侧墙结构贴合的浮栅结构侧壁的高度，使得控制栅结构可以镶嵌进浮栅结构的凹槽中，提升控制栅结构通过ONO膜层对浮栅结构的耦合面积比率，提高了控制栅结构对浮栅结构的耦合作用，可以降低控制栅操作电压，避免了编程操作、擦除操作以及读取操作时器件被提前击穿的情况，同时也避免了读取操作发生干扰的情况。

天眼查资料显示，华虹半导体制造（无锡）有限公司，成立于2022年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本402000万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体制造（无锡）有限公司参与招投标项目371次，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可226个。

上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目894次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可429个。

来源：金融界

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