武汉光谷信息光电子创新中心申请片上集成器件测试相关专利，提升测试效率
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2025-05-15 10:15:31
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金融界2025年5月15日消息，国家知识产权局信息显示，武汉光谷信息光电子创新中心有限公司申请一项名为“一种片上集成器件测试结构、测试系统及测试方法”的专利，公开号CN119984749A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请涉及一种片上集成器件测试结构、测试系统及测试方法，片上集成器件测试结构包括：光耦合入射第一端口和光耦合入射第二端口，光耦合入射第一端口与光耦合入射第二端口的工作波长范围不同；合束器，合束器连接至光耦合入射第一端口和光耦合入射第二端口，且合束器连接有待测器件；分束器，分束器连接待测器件；光耦合出射第一端口和光耦合出射第二端口，光耦合出射第一端口和光耦合出射第二端口均连接至分束器。本申请可测试待测器件在不同工作波长范围下的性能，提升测试效率，节省测试时间，同时，能够有效避免同一待测器件针对不同波长范围需要重复版图布局的问题，大大节省了芯片流片版图面积，节约了芯片流片成本。
天眼查资料显示，武汉光谷信息光电子创新中心有限公司，成立于2017年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本16000万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉光谷信息光电子创新中心有限公司参与招投标项目104次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息322条，此外企业还拥有行政许可5个。
来源：金融界
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