博世申请垂直场效应晶体管结构和制造方法专利，提供预限定的局部阈值电压曲线
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2025-06-18 13:09:21
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金融界2025年6月18日消息，国家知识产权局信息显示，罗伯特·博世有限公司申请一项名为“垂直场效应晶体管结构和垂直场效应晶体管结构制造方法”的专利，公开号CN120166748A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明涉及垂直场效应晶体管结构，其具有：具有第一衬底表面的衬底；位于第一衬底表面上的半导体层，在半导体层的远离第一衬底表面地指向的侧上从半导体层中结构化出来多个锚固在半导体层上的鳍式结构，其中，在鳍式结构的远离衬底地指向的端部上分别构造有源极区域；并且具有多个栅极电极，其中，栅极电极中的各一个栅极电极位于两个相邻的鳍式结构之间，并且鳍式结构和半导体层借助至少一个栅极电介质与栅极电极电绝缘；其中，经掺杂的通道区域分别位于鳍式结构的源极区域的朝向衬底定向的侧上，设定经掺杂的通道区域的掺杂，用于提供沿着相应的鳍式结构的深度的、预限定的局部阈值电压曲线。本发明还涉及用于制造垂直场效应晶体管结构的方法。
来源：金融界
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