上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，保证在降低接触电阻的同时降低半导体器件的寄生电容_电子百科

上海积塔半导体申请半导体结构相关专利，保证在降低接触电阻的同时降低半导体器件的寄生电容

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2025-06-21 19:37:23

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金融界2025年6月21日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构、制备方法及电子设备”的专利，公开号CN120184137A，申请日期为2025年03月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构、制备方法及电子设备。该半导体结构包括衬底、第一连接结构和第二连接结构，第一连接结构包括位于第一有源区和第二有源区之间的第一导通部，以及位于第一有源区和第二有源区顶面的第一连接部，第二连接结构包括位于第一有源区和第二有源区之间的第二导通部，以及位于第一有源区和第二有源区顶面的第二连接部。通过调整第一连接部和第二连接部与第一有源区、第二有源区之间的接触面积，可以减小连接结构与第一有源区、第二有源区之间的接触电阻，进一步通过调整第一导通部和第二导通部的尺寸可以降低寄生电容，进而可以保证在降低接触电阻的同时，降低半导体器件的寄生电容，进而提高半导体器件的电性和可靠性。

天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1832次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1184条，此外企业还拥有行政许可192个。

来源：金融界

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