江苏芯德申请集成电容与 PMIC 芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法专利，缩短连接路径_电子百科

江苏芯德申请集成电容与 PMIC 芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法专利，缩短连接路径

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2025-06-23 12:37:37

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金融界2025年6月23日消息，国家知识产权局信息显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种集成电容与 PMIC 芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法”的专利，公开号 CN120184111A，申请日期为 2025 年 05 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种集成电容与 PMIC 芯片的高密度堆叠封装结构及封装方法，该封装结构将 PMIC 芯片和 LSI 芯片分别嵌入两层塑封层，PMIC 芯片和 LSI 芯片均具有 TSV 通孔，两层塑封层之间加工有电容电路及中间重布线层，形成了双层塑封通孔中介层，在双层塑封通孔中介层两侧加工重布线层，顶部连接 HBM 芯片和 SOC 芯片，底部焊接于基板上，基板的底部植球，且在两层塑封层中内埋散热片，散热片与基板的散热通道连接传导热量，基板上罩有散热盖。该封装方法中采用塑封通孔和塑封嵌入芯片技术形成了高密度 3D 堆叠封装，通过 PMIC 芯片与电容与处理器垂直连接，缩短连接路径，解决高性能处理器的电压电流不足、功率不足及散热问题。

天眼查资料显示，江苏芯德半导体科技股份有限公司，成立于2020年，位于南京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本89633.4459万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏芯德半导体科技股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息242条，此外企业还拥有行政许可39个。

来源：金融界

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