拓荆创益取得一种温控混气结构及半导体加工设备专利，调节流经的气流的温度
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2025-06-26 23:08:50
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金融界2025年6月26日消息，国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司取得一项名为“一种温控混气结构及半导体加工设备”的专利，授权公告号CN223010253U，申请日期为2024年06月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种温控混气结构及一种半导体加工设备。所述温控混气结构包括：壳体，具有外壳及内壳，其中，所述外壳上设有温控剂入口及温控剂出口，所述内壳与所述外壳之间设有过流通道；以及多根温控混气杆，设置于所述温控混气结构的进气口及出气口之间，以扰动所述进气口及所述出气口之间的气流，其中，所述温控混气杆为中空结构，其第一端连接所述过流通道中靠近所述温控剂入口的第一位置，而其第二端连接所述过流通道中靠近所述温控剂出口的第二位置，以供所述温控剂从所述温控剂入口流向所述温控剂出口，并调节流经的气流的温度。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目12次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息314条，此外企业还拥有行政许可10个。
来源：金融界
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