上海积塔半导体申请PMOS器件结构及其制备方法专利，提升PMOS器件结构的运行速度和响应性能
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2025-06-30 11:38:29
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金融界2025年6月30日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“PMOS器件结构及其制备方法”的专利，公开号CN120224735A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供了一种PMOS器件结构及其制备方法。该PMOS器件结构，包括衬底、预置籽晶层、锗硅籽晶层和锗硅主体层，衬底上形成有栅极结构，栅极结构至少一侧的衬底表面开设有源漏沟槽；预置籽晶层位于源漏沟槽底部的衬底中；锗硅籽晶层位于源漏沟槽的侧壁和底部表面上；锗硅主体层填充于锗硅籽晶层的表面上的源漏沟槽内；预置籽晶层的锗浓度及锗硅籽晶层的锗浓度均小于锗硅主体层中的锗浓度。该PMOS器件结构能够优化锗浓度的分布，减少晶格失配引起的位错和缺陷，提升PMOS器件结构的运行速度和响应性能。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1836次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1172条，此外企业还拥有行政许可192个。
来源：金融界
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