三安集成电路申请一种GaAs基半导体器件及其制备方法和应用专利，减少寄生电阻和寄生电容
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2025-07-11 11:08:59
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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，厦门市三安集成电路有限公司申请一项名为“一种GaAs基半导体器件及其制备方法和应用”的专利，公开号CN120302669A，申请日期为2025年03月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaAs基半导体器件，外延层位于GaAs衬底上，外延层至少包括位于GaAs衬底上依次层叠的缓冲层、沟道层和势垒层，源极、漏极和栅极位于势垒层上，并且栅极位于源极和漏极之间；在源极和漏极之间的非栅控区域，具有两个离子注入区，离子注入区从势垒层表面向GaAs衬底方向延伸势垒层底面，位于栅极与源极之间的离子注入区沿着栅极向源极的方向掺杂浓度增大，位于栅极与漏极之间的离子注入区沿着栅极向漏极的方向掺杂浓度增大，离子注入区的第n+1浓度区的浓度大于第1浓度区的浓度，1≤n≤4，源极和漏极全部位于第n+1浓度区上。
天眼查资料显示，厦门市三安集成电路有限公司，成立于2014年，位于厦门市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，厦门市三安集成电路有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目84次，专利信息331条，此外企业还拥有行政许可105个。
来源：金融界
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