浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，降低硅化物层的形成难度_电子百科

浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，降低硅化物层的形成难度

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2025-07-11 20:10:18

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金融界2025年7月11日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120302679A，申请日期为2025年06月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一器件区和第二器件区；第一栅极结构，位于所述第一器件区的所述衬底的部分表面；第二栅极结构，位于所述第二器件区的所述衬底的部分表面；第一源漏掺杂区，位于所述第一栅极结构两侧的所述衬底内；第二源漏掺杂区，位于所述第二栅极结构两侧的所述衬底内；硅化物阻挡层，位于所述第一栅极结构侧壁上，所述硅化物阻挡层还覆盖在所述第二源漏掺杂区的表面以及所述第二栅极结构的顶部表面和侧壁表面；硅化物层，位于所述第一源漏掺杂区的表面和所述第一栅极结构顶部表面；通过对需要形成硅化物层（salicide）区域的栅极结构的侧墙进行调整，将硅化物阻挡层直接作为第一栅极结构对应的侧墙，较传统工艺增加了栅极结构与栅极结构之间的间距，为硅化物层的形成提供较大的空间，降低硅化物层的形成难度。

天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目250次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息326条，此外企业还拥有行政许可6个。

来源：金融界

企业方法显示栅极降低表面导体创芯结构专利器件半导体硅化物衬底

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