浙江芯晟半导体申请半导体器件制造相关专利，涉及半导体器件制造技术领域
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2025-07-12 11:38:32
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金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，浙江芯晟半导体科技有限责任公司申请一项名为“一种半导体器件制造方法和半导体器件牺牲层刻蚀系统”的专利，公开号CN120288703A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体器件制造技术领域。具体涉及一种半导体器件制造方法和半导体器件牺牲层刻蚀系统。方法包括：一种半导体器件制造方法，包括对悬空结构的释放步骤，其特征在于，对悬空结构的释放步骤包括以下步骤：提供半导体基体，半导体基体包括衬底层、位于衬底层表面的牺牲层、牺牲层背向衬底层表面的待释放层，以及与牺牲层同层设置，连接待释放层和衬底层的连接层；刻蚀待释放层，形成释放孔；使用混合腐蚀液，通过释放孔腐蚀去除牺牲层；混合腐蚀液包括主腐蚀试剂和液态二氧化碳，混合腐蚀液在进入去除牺牲层的反应容器前，进行升温加压，使液态二氧化碳转变为超临界流体二氧化碳，之后进入去除牺牲层的反应容器进行去除作业。
天眼查资料显示，浙江芯晟半导体科技有限责任公司，成立于2023年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本150000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江芯晟半导体科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目168次，财产线索方面有商标信息4条，专利信息29条，此外企业还拥有行政许可7个。
来源：金融界
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