桑迪士克申请包括含氧化铪或氧化锆阻挡电介质和氮化钨势垒存储器器件专利，提供一种三维存储器器件
创始人
2025-07-12 15:10:46
0次
金融界2025年7月12日消息，国家知识产权局信息显示，桑迪士克科技股份有限公司申请一项名为“包括含氧化铪或氧化锆的阻挡电介质和氮化钨势垒的存储器器件及其形成方法”的专利，公开号CN120304029A，申请日期为2024年05月。
专利摘要显示，一种三维存储器器件包括：绝缘层和导电层的交替堆叠；存储器开口，该存储器开口竖直地延伸穿过该交替堆叠；存储器开口填充结构，该存储器开口填充结构位于该存储器开口中；和含氧化铪或氧化锆的背侧阻挡电介质层。该存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括存储器元件的相应竖直堆叠和竖直半导体沟道。该导电层中的每个导电层包括金属层和含氮化钨的扩散势垒层。该含氧化铪或氧化锆的背侧阻挡电介质层位于该含氮化钨的扩散势垒层与该存储器开口填充结构之间。
来源：金融界
相关内容
热门资讯
2025 钨灯丝/进口/国产/...
随着材料研发、电子制造、食品检测对 “纳米级微观成像、成分精准分析、样品兼容性” 需求升级，扫描电镜...
和辉光电：发行境外上市外资股（...
和辉光电10月20日公告，公司于近日收到中国证监会出具的《关于上海和辉光电股份有限公司境外发行上市备...
日久光电第三季度归母净利润31...
10月20日，日久光电(003015)公布2025年三季报，公司营业收入为5.01亿元，同比上升12...
军工电子板块10月20日涨0....
证券之星消息，10月20日军工电子板块较上一交易日上涨0.8%，天奥电子领涨。当日上证指数报收于38...
原创 南...
香港《南华早报》揭示了一场发生在南海海域的奇特对抗。这场对抗没有震耳欲聋的炮火，没有战舰的钢铁碰撞，...
中威电子（300270）10月...
证券之星消息，截至2025年10月20日收盘，中威电子(300270)报收于12.42元，上涨20....
ROG魔盒BE@RBRICK路...
10月16日，ROG玩家国度2025新品超玩会高燃开启！华硕电脑开放平台中国区总经理俞元麟携手知名电...
200亿加码高端模拟芯片，本土...
10月19日晚，士兰微发布公告称，将投资200亿元，与厦门半导体投资集团、新翼科技等国资背景投资方合...
原创 阳...
导语：“强制合资”和“技术转让”意味着，即便是本地建厂，也可能失去对核心资产的完全控制。 市场开始...
20cm速递|科创芯片ETF国...
天风证券指出，AI浪潮驱动存储涨价新周期，NAND与DRAM价格持续上行。在原厂控货+涨价双重驱动下...