成都紫光半导体申请半导体器件及其制造方法专利，有效地阻挡存储区出现铝扩散问题
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2025-05-17 16:35:22
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，成都紫光半导体科技有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN119993899A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本公开涉及一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括衬底层、第一垫氧化层、氮化物层以及光刻胶层，第一垫氧化层设置在衬底层上，氮化物层设置在第一垫氧化层上，氮化物层包括第一区域和第二区域，光刻胶层设置在第一区域上；第二区域朝向衬底层刻蚀凹陷并凹陷至衬底层内，以形成浅沟槽，浅沟槽内设置有绝缘介质；浅沟槽包括位于衬底层内的第一槽体部，绝缘介质包括相互连接的基层和台阶层，基层设置于第一槽体部内，台阶层凸出于第一槽体部设置；台阶层包括相互连接的台阶基部和加厚部，台阶基部与基层连接，且加厚部设置于台阶基部远离基层的一侧。通过设置加厚部，可以有效地加高台阶层的高度，有效地阻挡存储区出现铝扩散的问题。
天眼查资料显示，成都紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都紫光半导体科技有限公司专利信息18条。
来源：金融界
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