上海积塔半导体申请浅沟槽隔离结构相关专利，减小浅沟槽隔离缺角问题
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2025-05-17 16:35:18
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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件”的专利，公开号CN119993901A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法及半导体器件，该制备方法包括如下步骤：提供一衬底，衬底包括基板和基板上的图案化后的硬掩膜层；在衬底上沉积硬掩膜氧化物层，硬掩膜氧化物层覆盖硬掩膜层的表面以及图案的侧壁和底壁；刻蚀衬底形成与硬掩膜层上的图案对应的多个第一沟槽，第一沟槽延伸至基板且硬掩膜层的图案的侧壁保留有硬掩膜氧化物层；湿法刻蚀去除硬掩膜层的图案的侧壁上的硬掩膜氧化物层形成第二沟槽；在第二沟槽的侧壁和底壁形成衬垫氧化层；填充第二沟槽；去除硬掩膜层；在有源区生长牺牲氧化层。本发明的浅沟槽隔离结构的制备方法可以减小浅沟槽隔离的缺角问题，改善半导体器件漏电及提高半导体器件的整体性能。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1817次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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