深圳市广能达半导体申请非50欧姆阻抗负载的射频功率测量校准系统专利，极大地简化了测量流程_电子百科

深圳市广能达半导体申请非50欧姆阻抗负载的射频功率测量校准系统专利，极大地简化了测量流程

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2025-05-17 19:34:14

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金融界2025年5月17日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市广能达半导体科技有限公司申请一项名为“一种非50欧姆阻抗负载的射频功率测量校准系统及方法”的专利，公开号CN119986118A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明涉及一种非50欧姆阻抗负载的射频功率测量校准系统，第一匹配器和第二匹配器，第一匹配器的输入端连接射频电源，输出端连接非50欧姆待测设备；第二匹配器的输入端连接非50欧姆待测设备，输出端连接50欧姆负载；第一射频功率计和第二射频功率计，第一射频功率计安装于第一匹配器的输入端，第二射频功率计安装于第二匹配器的输出端；可调电容组件，通过调节可调节电容组件使两个匹配器构成共轭关系；利用共轭匹配原理，使得两个匹配器的耗散功率一直，从而直接基于两个射频功率计的测量值计算总耗散功率，进而计算得到非50欧姆待测设备的实际传输功率，不需要单独计算匹配器的欧姆损耗及传输损耗，极大地简化了测量流程。

天眼查资料显示，深圳市广能达半导体科技有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市广能达半导体科技有限公司参与招投标项目7次，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可4个。

来源：金融界

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