普森美微电子申请超薄低阻值合金电阻及其制备方法专利，有效减小产品侧蚀量
创始人
2025-07-25 15:40:17
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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，普森美微电子技术（苏州）有限公司申请一项名为“一种超薄低阻值合金电阻及其制备方法”的专利，公开号CN120376263A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本发明公开了一种超薄低阻值合金电阻及其制备方法，制备方法包括如下步骤：在合金片材的两面贴合干膜，之后进行曝光和显影，用于在所述干膜上形成第一线路图形；蚀刻，使得合金片材的两面上形成对应于干膜上第一线路图形的第二线路图形；退膜，以去除合金片材上的干膜；将合金片材与基材贴合，得到板材；将所述板材进行后处理，得到所述超薄低阻值合金电阻。

天眼查资料显示，普森美微电子技术（苏州）有限公司，成立于2019年，位于苏州市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本4249.1733万人民币。通过天眼查大数据分析，普森美微电子技术（苏州）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息8条，专利信息77条，此外企业还拥有行政许可5个。

来源：金融界

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