德州仪器申请具有偏压电阻器的磁场传感器专利，涉及集成电路IC中具有偏压电阻器的磁场传感器
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2025-07-25 17:12:33
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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有偏压电阻器的磁场传感器”的专利，公开号CN120379519A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开大体上涉及集成电路IC中具有偏压电阻器的磁场传感器。在实例中，IC包含磁场传感器(102)和电阻器(104)。所述磁场传感器(102)包含第一掺杂阱(202‑1)和第二掺杂阱(202‑2)。所述第一掺杂阱(202‑1)和所述第二掺杂阱(202‑2)在半导体衬底(302)中。第一间隔(282)在所述第一掺杂阱(202‑1)与所述第二掺杂阱(202‑2)之间。所述电阻器(104)包含在所述半导体衬底(302)中的第三掺杂阱(204‑1)。第二间隔(284)在所述第一掺杂阱(202‑1)与所述第三掺杂阱(204‑1)之间。所述第二间隔(284)等于所述第一间隔(282)。
来源：金融界
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