长江存储申请半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法专利，提供了一种半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法_电子百科

长江存储申请半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法专利，提供了一种半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法

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2025-07-25 17:39:57

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金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法”的专利，公开号 CN120379266A，申请日期为 2024年01月。

专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体器件、存储器系统以及半导体器件的制造方法。半导体器件包括：堆叠结构，具有堆叠方向；栅线缝隙隔离结构，贯穿堆叠结构，并包括沿第一方向排布的第一隔离部分和第二隔离部分，第一隔离部分和第二隔离部分均沿第一方向延伸；以及支撑结构，在至少部分堆叠结构中沿堆叠方向延伸，并位于第一隔离部分和第二隔离部分之间，且沿第一方向与第一隔离部分和第二隔离部分连接；其中，在第二方向上，支撑结构的尺寸大于第一隔离部分的尺寸，且大于第二隔离部分的尺寸，第一方向、第二方向以及堆叠方向彼此相交。

天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1394次，财产线索方面有商标信息978条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。

来源：金融界

企业制造方法方向隔离存储系统结构专利部分器件半导体存储器

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