上海积塔半导体申请静电防护结构及其电子设备专利，降低SCR器件的触发电压
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2025-07-26 10:10:04
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金融界2025年7月26日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“静电防护结构及其电子设备”的专利，公开号CN120379347A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请涉及一种静电防护结构及其电子设备，应用于SCR器件，包括：衬底、栅极；衬底内包括经由第一表面向衬底内延伸，且沿平行第一表面的第一方向依次排列的第一阱区、第二阱区、第三阱区及第四阱区；第一阱区和第三阱区导电类型相同，与第二阱区、第四阱区的导电类型相反；第一阱区、第二阱区、第三阱区及第四阱区内包括经由第一表面沿朝向衬底的第二方向延伸的多个离子注入区；其中，第二阱区内部分离子注入区用于同时短接第三阱区内离子注入区，以及与第一阱区、栅极、第一阱区内部分离子注入区构成增加电流泄放路径的GDMOS，至少能够降低SCR器件的触发电压，提高维持电压。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司参与招投标项目1839次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1207条，此外企业还拥有行政许可193个。
来源：金融界
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