浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利，降低半导体结构的尺寸
创始人
2025-07-26 11:10:19
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金融界2025年7月26日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120379323A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一外延层结构和第二外延层结构；在所述第一外延层结构和第二外延层结构的交接处，形成栅极结构，所述栅极结构覆盖所述第一外延层结构和所述第二外延层结构的侧壁。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目250次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息342条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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