金融界2025年7月28日消息,国家知识产权局信息显示,南亚科技股份有限公司申请一项名为“包括含不同材料的电容器接触的存储器元件及其制备方法”的专利,公开号CN120379248A,申请日期为2024年07月。
专利摘要显示,本公开提供一种存储器元件,包括:设置于一半导体基板之上的一位元线结构,和设置于该半导体基板中并延伸于该半导体基板上方的一较低电容器接触。该较低电容器接触包括多晶硅。该存储器元件也包括设置于该较低电容器接触之上的一较高电容器接触。该较高电容器接触包括氮化钛。该存储器元件还包括一第一间隔层,其设置于该较低电容器接触与该位元线结构之间和该较高电容器接触与该位元线结构之间。此外,该存储器元件包括设置于该第一间隔层之上的一电容器。
来源:金融界