武汉新芯申请半导体装置及半导体形成方法专利，降低基板弯曲度
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2025-07-28 18:12:04
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金融界2025年7月28日消息，国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体装置及半导体形成方法”的专利，公开号CN120376496A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体装置及半导体形成方法，半导体装置包括：承载台、吸附装置和粘性膜，承载台用于承载第一基板，粘性膜位于承载台承载面上，吸附装置位于承载台上；其中，在所述第一基板被放置于所述承载台时，所述第一基板第一区域被所述吸附装置吸附于所述承载台，所述第一基板第二区域在所述第一区域被吸附过程中被固定至所述粘性膜。
天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目213次，财产线索方面有商标信息68条，专利信息1751条，此外企业还拥有行政许可106个。
来源：金融界
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