英飞凌申请形成宽带隙半导体装置的方法专利，提出一种形成宽带隙半导体装置的方法
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2025-07-29 15:13:15
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金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技股份有限公司申请一项名为“形成宽带隙半导体装置的方法”的专利，公开号CN120390417A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本公开涉及形成宽带隙半导体装置的方法。提出一种形成宽带隙半导体装置(100)的方法。所述方法包括：形成沟槽(102)，沟槽(102)从宽带隙半导体主体(104)的第一表面(1041)延伸到宽带隙半导体主体(104)中。所述方法还包括：形成屏蔽区(106)，包括通过离子注入通过沟槽(102)的底侧或侧壁中的至少一个将第一导电型的掺杂物引入到宽带隙半导体主体(104)中。此后，所述方法还包括：扩大沟槽(102)，包括通过热氧化来形成铺衬沟槽(102)的侧壁和底侧的牺牲氧化物(122)并且去除牺牲氧化物(122)的扩大过程。
来源：金融界
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