华为申请半导体结构相关专利，减小半导体结构厚度
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2025-05-18 13:06:55
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金融界2025年5月3日消息，国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储阵列、存储器及电子设备”的专利，公开号CN119907232A，申请日期为2023年10月。
专利摘要显示，一种半导体结构及其制作方法、存储阵列、存储器及电子设备，旨在解决半导体结构的厚度较大的问题，该半导体结构中，通孔贯穿第一介质层内的第一腔体，导电柱穿设在通孔内，第一沟道层设置在导电柱和通孔的孔壁之间，第二沟道层覆盖在第一腔体的腔壁上，第二沟道层与第一沟道层接触；晶体管结构的栅极结构和电极结构均与第二沟道层接触。薄壁状的第二沟道层使得栅极结构具有良好的控制能力，无需沿通孔中心线方向在沟道的两侧均设置栅极结构，可以减小半导体结构沿通孔中心线方向的厚度。
天眼查资料显示，华为技术有限公司，成立于1987年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本4094113.182万人民币。通过天眼查大数据分析，华为技术有限公司共对外投资了51家企业，参与招投标项目5000次，财产线索方面有商标信息5000条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1535个。
来源：金融界
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