吉芯科技申请CMOS互补采样开关及控制方法专利，有效降低衬偏效应对导通电阻的影响
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2025-08-05 09:13:28
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金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，重庆吉芯科技有限公司申请一项名为“CMOS互补采样开关及CMOS互补采样开关控制方法”的专利，公开号CN120415402A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明涉及一种CMOS互补采样开关及CMOS互补采样开关控制方法，该开关包括：至少一个三管单元，三管单元包括：相互并联的第一MOS管、第二MOS管，以及第三MOS管，第一MOS管的载流子类型与第二MOS管的载流子类型不同，第二MOS管的载流子类型与第三MOS管的载流子类型相同；在CMOS互补采样开关处于采样状态时，第二MOS管的衬底与其源极连接；该开关能够较好地保证在CMOS互补采样开关导通采样期间，第二MOS管的衬底电压与源极电压保持一致，较有效地降低衬偏效应对CMOS互补采样开关的导通电阻产生的影响。
天眼查资料显示，重庆吉芯科技有限公司，成立于2019年，位于重庆市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本45000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆吉芯科技有限公司参与招投标项目146次，财产线索方面有商标信息3条，专利信息229条，此外企业还拥有行政许可11个。
来源：金融界
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