中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，有利于提高半导体结构的良率
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2025-08-06 19:15:31
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金融界2025年8月6日消息，国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN120435000A，申请日期为2024年02月。
专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，包括多个存储单元区，相邻存储单元区之间的基底包括位线区、以及位于位线区两侧的字线区，字线区的基底中形成有有源区；在存储单元区的基底上形成存储结构，在字线区的基底上形成字线栅结构；在位线区中，在与字线区邻接的部分基底上形成隔绝层；在位线区中，在隔绝层暴露的基底顶部形成金属硅化物层。
天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可451个。
来源：金融界
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