华虹半导体申请背部金属层的返工方法专利，降低酸洗缺陷提高产品可靠性和制造效率
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2025-08-16 17:23:16
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“背部金属层的返工方法”的专利，公开号CN120497137A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请公开了一种背部金属层的返工方法，包括：将晶片浸泡在酸溶液中持续第一时间，晶片背面形成有背面金属层；将晶片浸泡在水中持续第二时间，第二时间大于第一时间；重复上述步骤至少两次；通过DHF溶液对晶片进行清洗，持续第三时间，第三时间小于第一时间；将晶片浸泡在酸溶液中持续第四时间后对晶片进行水洗，第四时间大于第二时间；通过湿法刻蚀工艺对晶片背面进行处理；在晶片背面形成背面金属层。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2938次，专利信息1761条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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