上海积塔半导体申请离子注入机的控制方法、装置以及离子注入机专利，提高离子注入的晶圆的质量
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2025-08-16 20:16:18
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“离子注入机的控制方法、装置以及离子注入机”的专利，公开号CN120497114A，申请日期为2025年05月。
专利摘要显示，本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种离子注入机的控制方法、装置以及离子注入机。离子注入机的控制方法包括如下步骤：控制离子注入机以第一转速工作，以使得在单位时间内，离子注入机的束流能够扫描到晶圆面积为第一面积；基于第一切换指令，控制离子注入机以第二转速工作，以使得在单位时间内，离子注入机的束流能够扫描到晶圆面积为第二面积，第一转速小于第二转速，第一面积小于第二面积。通过控制离子注入机在第一转速下工作，使得束流扫描到的待加工晶圆的面积较小，这使得晶圆表面的光刻胶受到的束流轰击少，进而光刻胶中的水汽、化学物质析出也较少，这提高了离子注入的晶圆的质量。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1849次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1229条，此外企业还拥有行政许可193个。
来源：金融界
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