新存科技申请仅选择存储器及其形成方法专利，实现工艺成本与制备周期的双重减少
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2025-08-16 21:41:08
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金融界2025年8月16日消息，国家知识产权局信息显示，新存科技（武汉）有限责任公司申请一项名为“仅选择存储器及其形成方法”的专利，公开号CN120500040A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本申请提供一种仅选择存储器及其形成方法，先提供衬底，衬底包括存储区和对准区。然后在衬底上形成器件结构，器件结构包括位于存储区的第一存储单元和第一导线、位于对准区的第一介质层、以及位于第一介质层内的第一对准标记，第一导线位于第一存储单元远离衬底的一侧，第一对准标记在第一导线或之前的膜层制备中形成。接着在器件结构上形成存储叠层，以第一对准标记为基准对存储叠层进行刻蚀，形成与第一导线对准的第二存储单元层。第一导线和第一对准标记均在前层的器件结构中形成，因此在刻蚀当层的存储叠层时第一导线不会遮挡第一对准标记，从而可以以第一对准标记为基准对存储叠层进行刻蚀，这样可以实现工艺成本与制备周期的双重减少。
天眼查资料显示，新存科技（武汉）有限责任公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本1785.754万人民币。通过天眼查大数据分析，新存科技（武汉）有限责任公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目3次，专利信息140条。
来源：金融界
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