溢泰半导体取得锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法专利
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2025-08-22 13:09:21
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金融界2025年8月22日消息，国家知识产权局信息显示，大庆溢泰半导体材料有限公司取得一项名为“一种锑化镓抛光晶片表面缺陷控制工艺方法”的专利，授权公告号CN119495559B，申请日期为2024年11月。
天眼查资料显示，大庆溢泰半导体材料有限公司，成立于2018年，位于大庆市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本8050万人民币。通过天眼查大数据分析，大庆溢泰半导体材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目29次，专利信息59条，此外企业还拥有行政许可41个。
来源：金融界
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