一、核心测试需求

SiC（碳化硅）器件开关速度快（ns 级）、电压高（数百 V 至数千 V）、dv/dt 大（可达 100kV/μs 以上），测试需重点关注：开关特性（开通 / 关断时间、上升 / 下降沿）、电压电流应力、dv/dt 与 di/dt、 EMI 干扰等。

二、示波器要求

带宽：≥ 3 倍 SiC 器件开关频率（建议≥ 500MHz，高频场景选 1GHz 以上），避免波形失真。

采样率：≥ 2.5 倍带宽（如 500MHz 示波器需≥ 1.25GSa/s），捕捉 ns 级快速切换细节。

垂直分辨率：≥ 8 位（优选 10 位），区分小信号波动与噪声。

输入电压范围：支持高电压测量（如 ±400V 或外置高压衰减探头后兼容 kV 级）。

触发功能：具备边沿触发、脉冲触发，可稳定捕捉单次开关事件。

辅助功能：支持 dv/dt、di/dt 计算、频谱分析（EMI 测试用），部分场景需隔离通道（避免地环路干扰）。

三、探头要求

3.1 电压探头

类型：优先选差分探头（避免接地环路，适配 SiC 浮地拓扑），高压场景用高压衰减探头（衰减比≥100:1，耐压≥2 倍测试电压）。

带宽：与示波器匹配（≥ 500MHz），确保高频信号无衰减。

输入电容：≤ 5pF（越小越好，减少对 SiC 开关特性的影响）。

dv/dt 耐受：≥ 100kV/μs（适配 SiC 快速电压变化）。

3.2 电流探头

类型：高频电流探头（如罗氏线圈、霍尔效应探头），避免串扰。

带宽：≥ 200MHz，捕捉快速 di/dt（SiC di/dt 可达 kA/μs）。

测量范围：覆盖测试电流（如 0-100A 或 0-500A，根据驱动电路额定电流选择）。

精度：±1% 以内，确保电流应力测试准确。

3.3 通用要求

探头地线短而粗（≤ 3cm），减少干扰耦合；

差分探头需校准共模抑制比（CMRR），避免共模噪声影响；

高频场景选用低寄生参数探头，避免引入额外电感 / 电容。

四、关键注意事项

示波器与探头带宽需匹配，否则无法发挥设备性能；

高压测试时，探头耐压必须超过实际测试电压，避免绝缘击穿；

差分探头需远离功率器件发热区，防止性能漂移。

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