恒泰柯半导体取得沟槽型碳化硅MOSFET器件专利
创始人
2025-08-23 13:38:04
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金融界2025年8月23日消息，国家知识产权局信息显示，恒泰柯半导体（上海）有限公司取得一项名为“一种沟槽型碳化硅MOSFET器件”的专利，授权公告号CN115832058B，申请日期为2022年12月。
天眼查资料显示，恒泰柯半导体（上海）有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3969.4577万人民币。通过天眼查大数据分析，恒泰柯半导体（上海）有限公司财产线索方面有商标信息10条，专利信息53条，此外企业还拥有行政许可4个。
来源：金融界
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