应用材料公司申请用于半导体装置的多阈值电压集成方案专利，有利地提供制造具有在先进GAA节点中的纳米片之间的缩放空间中的多阈值电压能力的半导体装置的方法_电子百科

应用材料公司申请用于半导体装置的多阈值电压集成方案专利，有利地提供制造具有在先进GAA节点中的纳米片之间的缩放空间中的多阈值电压能力的半导体装置的方法

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2025-08-26 13:32:38

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金融界2025年8月26日消息，国家知识产权局信息显示，应用材料公司申请一项名为“用于半导体装置的多阈值电压集成方案”的专利，公开号CN120548596A，申请日期为2024年01月。

专利摘要显示，本发明的实施方式有利地提供制造具有在先进GAA节点中的纳米片之间的缩放空间中的多阈值电压能力的半导体装置的方法。一或多个实施方式提供集成方案以有利地降低栅极电阻，通过合并n‑/p‑偶极与带有低电阻的中间能隙金属以达成期望的功函数与低电阻金属栅极。在一或多个实施方式中，中间能隙金属用以填充纳米片及作为用于通过低电阻金属的后续填充的衬垫。在偶极加工之后，取代以传统的n或p金属来填充环绕式栅极纳米片，在一或多个实施方式中，纳米片有利地被单一功函数中间能隙金属所填充以达成n与p功函数。若功函数在偶极加工之后被移位在P‑偶极或N‑偶极的带边缘的任一者中，中间能隙材料也可以相反方式将带边缘移位。

来源：金融界

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