晋华集成申请半导体存储器件及其制作方法专利，降低位线之间的电耦合
创始人
2025-05-20 21:07:46
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金融界2025年5月20日消息，国家知识产权局信息显示，福建省晋华集成电路有限公司申请一项名为“半导体存储器件及其制作方法”的专利，公开号CN120018496A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请实施例提供一种半导体存储器件及其制作方法，涉及半导体领域，该半导体存储器件包括：衬底、多个堆叠结构、字线、位线和第一隔离层。多个堆叠结构位于衬底上，并在垂直方向上彼此隔离，多个堆叠结构包括半导体层，半导体层包括第一掺杂区、沟道区和第二掺杂区；字线沿垂直方向延伸，并邻接沟道区；位线沿水平方向延伸，并与第一掺杂区电性连接；第一隔离层，位于相邻位线之间，第一隔离层的材质包括半导体材料。
天眼查资料显示，福建省晋华集成电路有限公司，成立于2016年，位于泉州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本3447733.068816万人民币。通过天眼查大数据分析，福建省晋华集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目559次，财产线索方面有商标信息12条，专利信息927条，此外企业还拥有行政许可73个。
来源：金融界
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