江城芯片申请半导体结构及其制造方法专利，提供一种半导体结构及其制造方法
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2025-05-21 18:10:32
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金融界2025年5月21日消息，国家知识产权局信息显示，湖北江城芯片中试服务有限公司申请一项名为“半导体结构及其制造方法”的专利，公开号CN120018537A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：在衬底表面形成堆叠结构；所述堆叠结构包括交替层叠的第一牺牲层和第二牺牲层；形成贯穿所述堆叠结构且与所述衬底接触的半导体柱；在所述堆叠结构内形成沟槽，所述沟槽的侧壁显露出每个所述第二牺牲层；通过所述沟槽去除所述半导体柱侧壁的每个所述第二牺牲层；刻蚀所述半导体柱显露出的侧壁，以在所述半导体柱显露出的侧壁表面形成凹槽；去除所述半导体柱侧壁的所述第一牺牲层；在所述半导体柱的侧壁依次形成栅介质层和栅极。
天眼查资料显示，湖北江城芯片中试服务有限公司，成立于2021年，位于武汉市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖北江城芯片中试服务有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息87条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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