上海积塔半导体申请半导体结构制备方法专利，使浅沟槽隔离结构表面保持平整
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2025-05-22 10:37:58
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN120015693A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底中具有若干沟槽；在所述沟槽中和所述衬底上形成隔离介质层，所述隔离介质层的背离所述衬底的表面具有凹陷区和凸起部；在所述沟槽中和所述衬底上形成隔离介质层，所述隔离介质层的背离所述衬底的表面具有凹陷区和凸起部；对所述隔离介质层和所述覆盖层进行退火；采用化学机械研磨工艺去除所述覆盖层和部分所述隔离介质层，在所述沟槽中形成浅沟槽隔离结构。本申请的方法使得最终在衬底的不同区域形成的浅沟槽隔离结构的表面保持平整（消除了不同浅沟槽隔离结构的高度差）。
天眼查资料显示，上海积塔半导体有限公司，成立于2017年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1690740.3918万人民币。通过天眼查大数据分析，上海积塔半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1818次，财产线索方面有商标信息9条，专利信息1090条，此外企业还拥有行政许可191个。
来源：金融界
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