华虹半导体申请钝化层的刻蚀方法专利，降低了钝化层的残留
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2025-05-22 10:38:00
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金融界2025年5月22日消息，国家知识产权局信息显示，华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“钝化层的刻蚀方法”的专利，公开号CN120015625A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本申请公开了一种钝化层的刻蚀方法，包括：在金属层上形成钝化层，该金属层形成于层间介质层中，该层间介质层形成于衬底上，该衬底用于形成半导体器件；在钝化层上覆盖光阻，依次通过曝光和显影去除目标区域的光阻，使目标区域的钝化层暴露；进行湿法刻蚀，使目标区域的钝化层被减薄；进行干法刻蚀，直至目标区域的金属层暴露。本申请通过在金属层上的钝化层上覆盖光阻后，依次通过曝光和显影暴露出目标区域，依次通过湿法刻蚀和干法刻蚀去除目标区域的钝化层，使目标区域的金属层暴露，从而使得暴露的金属层和钝化层的交接区域的边缘的形貌更为陡直，降低了钝化层的残留，进而避免了后续的电镀金属层的跳镀和脱落现象。
天眼查资料显示，华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2912次，专利信息1654条，此外企业还拥有行政许可117个。
来源：金融界
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