国家知识产权局信息显示,合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制作方法、半导体结构及图像传感器”的专利,公开号CN121076007A,申请日期为2025年10月。专利摘要显示,本发明公开了一种半导体结构的制作方法、半导体结构及图像传感器,属于半导体技术领域,所述半导体结构的制作方法包括以下步骤:提供一衬底;并蚀刻所述衬底,在所述衬底上形成多个凹部,且相邻所述凹部之间的衬底形成凸部;在所述凸部侧壁上形成阻挡层;同步蚀刻所述凹部底部的所述衬底和所述凸部顶部的所述衬底,在所述凹部的位置形成第一沟槽,在所述凸部的位置形成第二沟槽,所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度;在所述第一沟槽和所述第二沟槽内填充介质,形成第一沟槽隔离结构和第二沟槽隔离结构。通过本发明公开的半导体结构的制作方法、半导体结构及图像传感器,可节省制程成本。
天眼查资料显示,合肥晶合集成电路股份有限公司,成立于2015年,位于合肥市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本200613.5157万人民币。通过天眼查大数据分析,合肥晶合集成电路股份有限公司共对外投资了10家企业,参与招投标项目632次,财产线索方面有商标信息41条,专利信息1452条,此外企业还拥有行政许可22个。
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