赛微电子:拥有硅通孔、深反应离子刻蚀等MEMS核心专利
创始人
2025-12-16 12:08:06
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证券之星消息,赛微电子(300456)12月16日在投资者关系平台上答复投资者关心的问题。

投资者提问:公司在 MEMS 领域掌握的核心工艺技术达到了怎样的国际领先水平?特别是硅通孔(TSV)、晶圆键合、深反应离子刻蚀等关键技术的具体优势体现在哪些方面?

赛微电子回复:您好,公司境内外产线(目前瑞典Silex为参股子公司)长期专注于MEMS工艺开发及晶圆制造业务,具备优越的技术水平和工艺开发能力,拥有丰富的量产经验以及不断拓展的规模量产能力。公司拥有硅通孔、深反应离子刻蚀等在内的多项MEMS核心专利,如TSV(硅通孔)技术是实现三维系统集成所必须的首要工艺,相关专利技术可以推广移植至2.5D和3D晶圆级先进集成封装平台,可以为实现功能化晶圆级封装和三维集成提供支持。谢谢关注!

以上内容为证券之星据公开信息整理,由AI算法生成(网信算备310104345710301240019号),不构成投资建议。

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