上海集成电路研发中心申请CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器专利，提高了CMOS图像传感器的动态范围_电子百科

上海集成电路研发中心申请CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器专利，提高了CMOS图像传感器的动态范围

创始人

2025-05-23 13:08:39

0次

金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，上海集成电路研发中心有限公司申请一项名为“CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器”的专利，公开号CN120035242A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本申请公开了一种CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器，属于半导体领域。本申请添加了PN二极管和复位晶体管，其中PN二极管作为溢出器件，复位晶体管对PN二极管复位。通过PN二极管的N区底部的第二P型掺杂层与光电二极管之间形成电子溢出通道。由于第二P型掺杂层的电势比与光电二极管的N区相邻的其他P型掺杂层的电势都高，在传输晶体管将电子传输到浮置扩散区之前，电子会先溢出到PN二极管中。既能存储光电二极管将满时自然溢出的电子，又能避免传输栅负偏不够产生的电子扩散到光电二极管中，而引起的暗电流，从而提高了CMOS图像传感器的动态范围。

天眼查资料显示，上海集成电路研发中心有限公司，成立于2002年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本30060万人民币。通过天眼查大数据分析，上海集成电路研发中心有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目293次，财产线索方面有商标信息96条，专利信息2072条，此外企业还拥有行政许可86个。

来源：金融界

企业单元电子提高了图像传感器集成电路晶体管专利二极管光电图像传感器杂层

上一篇：温州欧啡取得高稳定性欧式墙壁开关专利，提升面盖组件与动作组件连接稳定性

下一篇：洛阳冠拓申请机器人触觉传感器数据采集模块及采集方法专利，可极大缩短数据采集时间

上海集成电路研发中心申请CMOS图像传感器的像素单元及CMOS图像传感器专利，提高了CMOS图像传感器的动态范围

相关内容

热门资讯