浙江创芯集成电路申请半导体结构及其形成方法专利，提升半导体结构的存储密度
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2025-05-23 13:08:57
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120035122A，申请日期为2025年04月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成分立的叠层器件，各个叠层器件包括沿所述基底表面法线方向，依次设置的第一器件结构和第二器件结构，其中，所述第一器件结构包括第一晶体管，所述第二器件结构包括第二晶体管和第三晶体管，且所述第二晶体管和所述第三晶体管共用第二沟道层，所述第二沟道层通过外延方式形成。采用上述技术方案，能够提升半导体结构的存储密度，提高数据读写速度。
天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目248次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息304条，此外企业还拥有行政许可6个。
来源：金融界
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