金融界2025年5月23日消息,国家知识产权局信息显示,ASM IP控股有限公司申请一项名为“用于在单一处理腔室中从半导体膜去除氧化物和碳的设备和方法”的专利,公开号CN120033053A,申请日期为2018年07月。
专利摘要显示,公开了一种用于在单个处理腔室内从半导体衬底去除碳基污染物和氧基污染物两者的系统和方法。本发明可以包括利用远程等离子单元和多个气体源在所述单个处理腔室中执行处理。
来源:金融界
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