中芯国际申请改善半导体结构性能专利，降低基底与膜层间间隙概率_电子百科

中芯国际申请改善半导体结构性能专利，降低基底与膜层间间隙概率

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2025-12-26 12:38:07

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121215650A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底中形成有互连层；通孔互连结构，位于基底中并与互连层电连接；衬垫层，位于通孔互连结构的侧壁和基底之间；一个或多个间隔分布的应力缓冲结构，嵌于衬垫层侧部的基底中，并与衬垫层的侧壁相连，应力缓冲结构凸出于通孔互连结构的侧壁。本发明实施例的应力缓冲结构使得通孔互连结构受热膨胀后的压应力能够释放在更大面积的基底上，从而有利于减小压应力，相应也使得通孔互连结构冷却收缩后的拉应力也较小，进而降低了基底与相邻膜层之间出现间隙的概率，相应也提高了半导体结构的性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，成立于2002年，位于北京市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本100000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目53次，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可225个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目127次，财产线索方面有商标信息150条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可446个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业投资降低中芯国际间隙通孔导体应力结构性专利基底半导体中芯集成电路

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