云芯半导体取得GaN HEMT芯片专利，使GaN HEMT芯片能承受更大的电流
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2025-05-23 18:13:27
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，广西云芯半导体科技有限公司取得一项名为“GaN HEMT芯片”的专利，授权公告号CN222897481U，申请日期为2024年07月。
专利摘要显示，本实用新型公开一种GaN HEMT芯片，包括外延层以及设于外延层上的隔绝层，隔绝层内设有间隔设置的若干栅极延伸部、若干漏极延伸部以及若干源极延伸部，栅极延伸部的上表面、漏极延伸部的上表面以及源极延伸部的上表面自隔绝层的上表面露出；漏极延伸部上设有向上延伸的至少一个绝缘凸起部，每个漏极延伸部以及至少一个绝缘凸起部上均覆盖有漏极导线部以形成若干漏极导线部，每个源极延伸部上均覆盖有源极导线部以形成若干源极导线部，每个栅极延伸部上均覆盖有栅极导线部以形成若干栅极导线部。
天眼查资料显示，广西云芯半导体科技有限公司，成立于2023年，位于南宁市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，广西云芯半导体科技有限公司参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可3个。
来源：金融界
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