海力士申请半导体装置和半导体装置的制造方法专利，可包括外围电路、栅极结构等多种结构
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2025-05-23 18:13:30
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金融界2025年5月23日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体装置和半导体装置的制造方法”的专利，公开号CN120035139A，申请日期为2024年04月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置可包括：外围电路；栅极结构，其设置在外围电路上并且包括层叠的栅极线；第一凹陷阶梯结构，其设置在栅极结构内；第二凹陷阶梯结构，其设置在栅极结构内并且在第一方向上与第一凹陷阶梯结构相邻；第一间隙填充绝缘层，其包括形成在第一凹陷阶梯结构内的第一线部分、形成在第二凹陷阶梯结构内的第二线部分以及将第一线部分和第二线部分彼此连接的桥接部分；以及外围接触插塞，其通过第一间隙填充绝缘层的桥接部分延伸到栅极结构中并且连接到外围电路。
来源：金融界
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