晶丰芯驰申请N型掺杂碳化硅单晶制备方法专利，实现电阻率均匀性提升
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2026-01-17 09:11:28
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国家知识产权局信息显示，嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司申请一项名为“N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件”的专利，公开号CN121321217A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本发明涉及一种N型掺杂碳化硅单晶的制备方法、碳化硅单晶、功率器件，涉及半导体领域，包括：将籽晶、长晶原料和N型掺杂原料利用物理气相传输法进行长晶，得到N型掺杂碳化硅单晶；其中，所述N型掺杂原料包括：氮气和氨气的混合气。本发明提供的制备方法，通过在N型掺杂原料中引入特定的氨气，利用氨气的配合效果，在反应过程中不断形成的HCN分子的摩尔分数，以提高氮原子的掺杂均匀性，从而实现电阻率均匀性的提升。
天眼查资料显示，嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司，成立于2024年，位于嘉兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，嘉兴晶丰芯驰半导体材料有限公司专利信息16条。
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