甬矽半导体申请堆叠封装结构及制备方法专利，有效提升焊接强度降低桥接虚焊风险
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2026-01-17 16:11:21
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国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司申请一项名为“堆叠封装结构和堆叠封装结构的制备方法”的专利，公开号CN121335605A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种堆叠封装结构和堆叠封装结构的制备方法，涉及芯片封装技术领域，该堆叠封装结构包括第一基板、封装芯片、第二基板、双层焊球和塑封层。双层焊球位于第二基板背面，双层焊球包括内核球和外焊层。相较于现有技术，本发明利用第一支撑围栏嵌入到外焊层中，大幅提升了外焊层与第一焊盘的结合强度，从而有效提升了焊接强度，降低由于基板翘曲带来的桥接或虚焊的风险。并且外焊层的锡量分布均匀，也不会溢出太多而导致桥接。同时，由于第一支撑围栏的支撑作用，能够使得内核球得以承托，有效减缓了焊球塌陷现象，进而保证了第一基板和第二基板之间的间隙满足塑封要求，增大了塑封空间，减缓了塑封空洞现象。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目35次，专利信息243条，此外企业还拥有行政许可19个。
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来源：市场资讯
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