维普半导体申请半导体掩膜拐角缺陷检测方法专利，提高拐角检测精度
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2025-05-24 19:08:32
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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，常州维普半导体设备有限公司申请一项名为“一种用于半导体掩膜拐角缺陷的检测方法”的专利，公开号CN120031843A，申请日期为2025年01月。
专利摘要显示，本发明公开了一种用于半导体掩膜拐角缺陷的检测方法，方法的步骤中含有：S1：获取掩膜的实际采图和对应的掩膜设计图的渲染图；S2：在渲染图上根据掩膜设计图标记出对应的拐角位置；S3：将渲染图和实际采图进行配准；S4：对每一个拐角位置处的渲染图和实际采图分别进行如下操作：亚像素边缘的定位和对定位的亚像素边缘点进行连接；S5：对连接的亚像素边缘点求取拐角特征；S6：设定相应拐角特征的阈值，根据阈值来判定此处的拐角是否为缺陷。
天眼查资料显示，常州维普半导体设备有限公司，成立于2019年，位于常州市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本346.6326万人民币。通过天眼查大数据分析，常州维普半导体设备有限公司共对外投资了2家企业，专利信息23条，此外企业还拥有行政许可8个。
来源：金融界
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