北方集成电路申请一种半导体结构及其形成方法专利，提高IMD-TDDB性能
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2026-01-24 17:12:18
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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121398578A，申请日期为2024年7月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：基底，所述基底包括第一金属层和位于所述第一金属层表面的介质层；第二金属层，位于所述介质层中并且所述第二金属层的顶面高于所述介质层的顶面；覆盖层，覆盖所述介质层和第二金属层表面。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，可以解决金属研磨后介质层表面金属颗粒残留的问题，提高IMD-TDDB性能。
天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息525条，此外企业还拥有行政许可125个。
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来源：市场资讯
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