中微半导体申请半导体零部件及其涂层形成方法专利提高了结晶态涂层与基底的结合力_电子百科

中微半导体申请半导体零部件及其涂层形成方法专利提高了结晶态涂层与基底的结合力

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2025-05-25 00:04:09

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金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“半导体零部件及其涂层形成方法”的专利，公开号CN120033050A，申请日期为2023年11月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体零部件及其涂层形成方法，所述半导体零部件包括：零部件本体；第一耐蚀刻涂层，位于零部件本体表面；第二耐蚀刻涂层，沉积于第一耐蚀刻涂层的表面上，所述第二耐蚀刻涂层与第一耐蚀刻涂层化学键合连接；其中，第二耐蚀刻涂层为结晶态氟氧化钇涂层，所述第一耐蚀刻涂层的热膨胀系数介于所述零部件本体表面和结晶态氟氧化钇涂层的热膨胀系数之间。从而提高了结晶态涂层与基底的结合力，避免了涂层开裂脱落，提高了涂层耐刻蚀性能。

天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本62236.3735万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了27家企业，参与招投标项目64次，财产线索方面有商标信息75条，专利信息1510条，此外企业还拥有行政许可71个。

来源：金融界

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